用于逆变器应用的耐用型650V沟道IGBT

效率;FGH50T65UPD和竞争产品3 IGBT(与FGH50T65UPD具有类似的功率损耗)。图5显示3kW逆变器系统的测量效率。竞争产品3 IGBT在全负载时接近FGH50T65UPD。这与估计值相匹配。此外，效率差距随着负载的减小而变大。这也与图3相符，图3中显示当电流水平较低时FGH50T65UPD的性能优于竞争产品。

图3 PV逆变器效率

插件电感器

图4 功率损耗估计

变压器与电感器设计手册

图5 混合频率全桥逆变器效率

结论

上文已介绍新的650V场截止沟道IGBT并评估了一体电感其性能。新的IGBT比上一代IGBT提供更好的DC和AC特性、更长的短路耐受时间以及电感厂家更低的漏电感器生产电流。经过所有这些改进，新场截止沟道IGBT可实现高效和可靠的逆变器系统。

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请问下saber怎么设置峰顶为4.5V谷底为0v的正弦









电压源里有一个offset的参数，代表直流偏置，你amplitude设置成2.25，offset设置成2.25。
谢谢
ampl设置2.25，of

BUCK电路拓扑BUCK电路拓扑T是全控元件(GTR,GTO,MOSFET,IGBT)，当时，T导通。D：续流二极管。L和C组成LPF。二、工作原理四、假设及参数计算1.T，D均为理想器件2.L较大，使得在一个周期内

大牛们进来看一下，变压器应用一头雾水 本帖最后由 雨下枫 于 2015-1-8 16:46 编辑 如上图：超声波探头驱动电路如上图：变压器次级输出的其中一端的波形。 可以看到Vpp=410V左右现在的问题是：1、4个MOSFET会有烧坏的情况发生，请问烧坏的原因，最好是能详细分析一下。 2、300R/2W的功率电阻发热量很大。 如何改善，能简单的将电阻值减小吗？3、可以看出变压器次级输出的波形VP

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