电源滤波设计关键基础精华集锦
2、如果机器上选择的是一个市面上买来的通用滤波器，这个滤波器基本上是可以不加的；
3、滤波器8分定制、2分通用才算比较靠谱。
下此结论的原因是因为最近遇到的好几起事情，都加了滤波器，但传导就是不过，最后还是根据测试结果给设计了个滤波器样品，一装上ok才算pass，其实设计本身也并不复杂，不过多加了一级差模电容和差模电感、或调整了一下滤波器电感电容的参数而电感器厂家已。通用型的IEC插座滤波器，里面的空间很小，一般只能放得下2个共模电容、一个差模电容和一个共模电感，靠这点东西就能放之四海而皆准，难度莫大焉。
那滤波器应如何选型？
第一种是预知晓（起码是估计）需滤掉的杂波频点或频段和强度，然后提出对滤波频段的衰减要求，将此要求提给厂家，由厂家给您设计一款适用的滤波器。
第二种是先设计产品，结构空间上预留出装滤波器的位置，等产品装好后进行测试，根据测试的结果确定滤波器的滤除频点和衰减特性。
除此二者外，基本上没有其他的方法能有效地选好滤波器。
案例1：
如低频无极灯产品，整流器开关频率220KHz，此频率是干扰的基频，其他干扰频率基本都是此频点的高次谐波，在起初设计时，就可以根据预估给出滤波器绕行电感的要求来，220KHz频点时，共模插损ILCM=60dB 差模插损ILDM=60dB电感器生产厂家，根据这个要求，滤波器厂家就可以设计出滤波器来。
如手术室用监护仪，与手术刀在共同的环境下使用，手术刀的频率是500KHz，可以根据预估给出对滤波器的要求，500KHz频点时，共模插损ILCM=70dB 差模插损ILDM=70dB，根据这个要求，滤波器厂家就可以设计出滤波器来。
插损这个指标，行规是在50Ω的标准负载下测得的，但实际电路中，阻抗匹配的不可能这样标准，因此，插损的指标在使用会打些折扣。所以预估时要求指标要高些。
案例2：某产品未加滤波器时的测试结果，画黑圈的是两个主要的超标频点，最左侧的点是213KHz，超标7dB左右，右面一个是它的高次谐波，可以不必理它，213K滤掉了，那个也就跟着消除了。
作为电子设计工程师，能预估出、或能测出预定的干扰频率和提出拟衰减的指标来，这就够了。
滤波器有多种，做仪器设备中常用到的是电源滤波器和信号滤波器。其他类型的作无功功率补偿的电力滤波器、微波频段的滤波器不是这里讨论的内容。
滤波器的选择需要考虑以下多点：
1.电压
这个电压值要求是一个范围，是稳态电压±纹波电压的综合。
2.电流
电流的指标很关键，它决定了滤波器内部的电感的绕组铜线和引出线的线径。如果选细了，细导线上跑大电流，如小马拉大车，会引起严重发热以工字电感至烧毁。这个电流也是一个范围，稳态电流+波动电流的最大值。
3.电磁兼容标准要求
既然是滤波器，为的就是滤掉一些不期望的频段，而滤除的效果一般是由EMC测试标准和现场应用的直观结果来确定。尤其是电源滤波器，最好能确定用此滤波器的产品需要通过的是哪个标准，根据标准要求的不同，在选择时也有其特定的测试频段要求。
电源滤波器的主要针对指标是传导发射CE和传导抗扰CS，信号滤波器的则主要看EMC标准里对不期望输入频段和不期望输出频段的要求了。
比如无极灯用的整流器，本身就是一个开关工作状态，会电感的单位有对外的发射，EMC测试时候会重点检查其开关频率以及其高次谐波成分的传导干扰，滤波器就需要针对这些特定频段或频点具有足够的滤除效果。
4.安规标准要求
读者可能会觉得奇怪，选滤波器，说安规标准干啥？这是因为滤波器一般用在电源输入端和板卡的接口处，这些部位都是安规问题的重灾区。等于是滤波器一身承担了多个要求。与滤波器有关的安规重点是三个指标：绝缘耐压、漏电流、剩余电压剩余能量。
绝缘耐压打LN对地的绝缘强度，考验的是Y电容的耐压值，Y电容大了，漏电流就会大，容易导致安规要求上的漏电流超标，现在有部分厂家设计上就采取了输入端无Y电容设计（如图）。这样LN对G就成了LN通过L1、Cy1、Cy2、G’对G了，而G和G’是不连的。如果采用了输入端接Y电容的方式，即将Cy1和Cy2放到前面R的左面来，则测试时须注意绝缘耐压的设定和漏电流的大小是正相关的，最高不超过20mA。曾经遇到过差点被退货说滤波器安规不合格的情况，最后经查是1500V时漏电流设定为2mA（应为5mA），测试仪器报警就是正常的了。平面变压器厂家 | 平面电感厂家
智能车的设计摘要：为了综合利用控制、模式识别、传感器技术、汽车电子、电气、计算机、机械等专业领域知识，设计实现了一个基于PID控制算法，CCD检测系统，并采用HC9SDGl28单片机作为主控芯片的智能车系统。该系
实现数据与直流电源在以太网上共线传递以太网供电（PoE，Power Over Ethernet）是一种刚被批准为IEEE 802.3af标准的供电技术。它利用了普遍存在的通用以太网络，在传送数据包的同时完成直流电源的输送工作。最近批准的
新型部分耗尽SOI器件体接触结构0 引言 SOI技术带来器件和电路性能提高的同时也不可避免地带来了不利的影响，其中最大的问题在于部分耗尽SOI器件的浮体效应。当器件顶层Si膜的厚度大于最大耗尽层的宽度时，由于结构中氧化埋层的隔离作用