基于SoPC目标板Flash编程设计的创建及应用

4．3 Nios程序生成及Flash编程
启动NiosII IDE，建立和编译一个简单的LED流水灯的Nios应用程序。在Nios应用程序调试正确后，单击菜单[Tools]下的[Flash Programmer]，弹出Flash Programmer编程界面。选中Flash Programmer，单击New按钮创建一个FlashProgrammer配置。在Flash Programmer电感器生产界面中选择Main选项卡，设置Flash Programmer相关参数。
如果选中Program software project into flash memory project项，表示将工程的*．elf文件写入Flash(EPCS或CFI Flash)存储器中。将*．elf文件写入Flash的过程时，如果工程没有编译连接，会自动进行工程的编译连接。对于*．elf文件的编程，Flash Programmer窗口中并没有存储器和偏移地址的设置，存储器和偏移地址由是SOPC Builder中Reset Address指向的存储器和设置的偏移地址决定。如果将ResetAddress指向CFI F1ash．偏移地址从0x0HD开始，那么FlashProgrammer就会从CFI Flash的基地址+0x00开始烧写数据；如果将Reset Address指向epcs_controller，偏移地址从Ox00开始，那么Flash Programmer就会从EPCS的基地址+配置数据空间+Ox00开始烧写数据。
如果选中Program FPGA confi功率电感器guration data into hardware-i一体成型电感mage region of flash memory，可将FPGA配置数据写入Flash(EPCS或CFI Flash)。选择作为硬件系统的FPGA配置文件*．sof，指定配置文件的硬件配置映像名及存储的偏移地址。如果在制作目标板Flash编程设计时，指定可将配置文件编程到C电感器铁芯FIFlash，并指定多个偏移地址，此项就可选择编程地址，从而将配置文件编程到用户指定的存储器地址空间。对于将配置文件编程到EPCS，偏移地址塑封电感只能从Ox00开始。如果选择Program file into a flash memory选项，能将指定的二进制文件写入指定的Flash(EPCS或CFI Flash)存储地址空间。
在Flash Programmer界面中选择Target Connection选项卡，设置当前所用的下载电缆及JTAG器件。然后单击Program F1ash对Flash进行编程(EPCS或CFIFlash)。如果看到图6所示的提示消息，则Flash编程已经成功，说明目标板Flash编程设计创建成功。

5 结语
实现SoPC目标板Flash编程设计的创建，并通过一个最小SoPC系统说明目标板Flash编程设计在Flash编程中的应用及Flash编程的方法。通过实验验证了目标板Flash编程设计创建方法的正确性，并能对Flash编程。

平面变压器厂家 | 平面电感厂家

基于Freescale Kinetis的农田灌溉控制板卡的设摘要：文章设计了一种以Freescale Kinetis K60为核心的农田灌溉控制控制卡，该卡可以通过上位机或者手持编程器编写灌溉程序，并可脱机运行。系统实现土壤温湿度检测功能，能够很好的满足绿色农

MSP430单片机在电力系统中对开关电源控制的设计1 引言MSP430系列单片机是美国德州仪器（TI）1996年开始推向市场的一种16位超低功耗的混合信号处理器. 由于其超低功耗、强大的处理能力、高性能模拟技术及丰富的片上外围模块、系统工作稳定、方便

反激变压器气隙一般是多少呢，例如50W之类的反激变压器气隙一般是多少呢，例如50W之类的，一般0.1mm吗，我知道有计算公式，但感觉那个公式算出来差不多。








没有一般多少多少的说法。不通工作模式是不

 3/3   首页 上一页 1 2 3