安森美半导体针对家庭娱乐应用的音视频、电源管理和电路保护方案
采用集成LDO的NB3RL02时钟缓冲器具有许多关键特性：低工作噪声(在10 kHz贴片电感时为-149 dBc/Hz的偏移相位噪声)；0.37 ps(均方根)输出抖动；限制的输出摆率可降低EMI（10-50 pF负载的上升/下降时间为1至5 ns）；提供稳压的1.8 V外部I/O电源；ESD性能超过JESD 22(如2,000 V人体模型、200 V机器模型、1,000 V充电器件模型）。NB3RL02有两路CMOS输出时钟请求线。需要TCXO时钟的系统可从NB3RL02请求时钟，NB3RL02也可以为TCXO供电和提供所请求的时钟。采用NB3RL02可减少多个TCXO的成本。
用于电源系统的EMI方案
P6P82PS01A可配合PWM控制器抑制EMI，其主要特点包括：可无缝电感生产集成到现有的电源转换器设计当中，调节PWM控制器的现有RT或RT/CT节点阻抗，以减少电磁干扰；用户可选择控制关键扩频参数，以最有效降低EMI，实现灵活控制，确保不影响电压纹波和高效绕行电感率等关键性能指标；降低整个频谱EMI达4至10 dB；减少或消除笨重昂贵的输入EMI电容。
一体电感器P3P85R01A是以太网应用MII接口有源EMI解决方案，可降低1倍LVCMOS峰值EMI，输入频率范围为75-200 MHz，输出频率范围75-200 MHz；PLL旁路模式频率范围为100 Hz-200 MHz；另外还有模拟偏差选择、模拟输入输出延迟控制、模拟PLL输出延迟控制等功能。
P2042A是扩频用有源EMI抑制器件，可提供高达15 dB的EMI抑制；生成1倍低EMI扩频时钟输出；30-110 MHz输入/输出频率范围；可优化为32.5、54、65、74和108 MHz像素时钟频率；内部环路滤波可最大限度减少外部元件和电路板空间；支持大多数移动图形加速器和LCD时序控制器规格。
在机顶盒的DDR存储器EMI抑制应用中，使用P3P816711A可降低1倍LVCMOS峰值EMI，可30 MHz的输入参考时钟，并提供30 MHz ± 0.3％输出时钟。
图7：机顶盒应用的DDR EMI抑制
微控制器、数字固件和电机驱动器
安森美半绕行电感导体还为家庭娱乐应用提供专业的超低功耗微控制器。这些器件具有超低消耗电流，在待机模式下低至0.02 μA，时钟计数模式下低至0.33 μA，正常模式下低至4 mA；1.8-5.5 V工作电压可用于USB、UART、SPI、I2C、智能卡I/F、电感式接近传感器曼彻斯1、遥控器接收，以及A/D、D/A、PLL、稳压器、运算放大器、比较器、POR和LVD。公司并提供相关的開发工具。
用于扩展底座的iChief数字固件可以使用UART控制解决方案，通过USB将iPod和其它便携式媒体播放器连接到底座；将USB命令转换成UART命令的iAp，反之亦然，使之可以用UART命令控制USB数字音频。
小型电机控制电机驱动器的主要特点则包括集成的主动反激保护、热和UVLO故障检测，以及过流故障检测，适用于投影仪等产品。
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