IGBT的保护
关键词：IGBT；MOSFET；驱动；过压；浪涌；缓冲；过流；过热；保护
引言
绝缘栅双极型晶体管IGBT是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件，其输入极为MOSFET，输出极为PNP晶体管，因此，可以把其看作是MOS输入的达林顿管。它融和了这两种器件的优点，既具有MOSFET器件驱动简单和快速的优点，又具有双极型器件容量大的优点，因而，在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用。
在中大功率的开关电源装置中，IGBT由于其控制驱动电路简单、工作频率较高、容量较大的特点，已逐步取代晶闸管或GTO。但是在开关电源装置中，由于它工作在高频与高电压、大电流的条件下，使得它容易损坏，另外，电源作为系统的前级，由于受电网波动、雷击等原因的影响使得它所承受的应力更大，故IGBT的可靠性直接关系到电源的可靠性。因而，在选择IGBT时除了要作降额考虑外，对IGBT的保护设计也是电源设计时需要重点考虑的一个环节。
1 IGBT的工作原理
IGBT的等效电路如图1所示。
由图1可知，若在IGBT的栅极和发射极之间加上驱动正电压，则MOSFET导通，这样PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通；若IGBT的栅极和发射极之间电压为0V，则MOSFET截止，切断PNP晶体管基极电流的供给，使得晶体管截止。
由此可知，IGBT的安全可靠与否主要由以下因素决定：
——IGBT栅极与发射极之间的电压；
——IGBT集电极与发射极之间的电压；
——流过IGBT集电极－发射极的电流；
——IGBT的结温。
如果IGBT栅极与发射极之间的电压，即驱动电压过低，则IGBT不能稳定正常地工作，如果过高超过栅极－发射极之间的耐压则IGBT可能永久性损坏；同样，如果加在IGBT集电极与发射极允许的电压超过集电电感器生产厂家极－发射极之间的耐压，流过IGBT集电极－发射极的电流超过集电极－发射极允许的最大电流，IGBT的结温超过其结温的允许值，IGBT都可能会永久性损坏。
2 保护措施
在进行电路设计时，应针对影响IGBT可靠性的因素，有的放矢地采取相应的保护措施。
2．1 IGBT栅极的保护
IGBT的栅极－发射极驱动电压VGE的保证值为±20V，如果在它的栅极与发射极之间加上超出保证值的电压，则可能会损坏IGBT，因此，在IGBT的驱动电路中应当设置栅压限幅电路。另外，若IGBT的栅极与发射极间开路，而在其集电极与发射极之间加上电压，则随着集电极电位的变化，由于栅极与集电极和发射极之间寄生电容的存在，使得栅极电位升高，集电极－发射极有电流流过。这时若集电极和发射极间处于高压状态时，可能会使IGBT发热甚至损坏。如果设备在运一体成型电感器输或振动过程中使得栅极回路断开，在不被察觉的情况下给主电路加上电压，则IGBT就可能会损坏。为防止此类情况发生，应在IGBT的栅极与发射极间并接电感生产厂家一只几十kΩ的电阻，此电阻应尽量靠近栅极与发射极。如图2所示。
由于IGBT是功率MOSFET和PNP双极晶体管的复合体，特别是其栅极为MOS结构，因此除了上述应有佛山电感器的保护之外，就像其他MOS结构器件一样，IGBT对于静电压也是十分敏感的，故而对IGBT进行装配焊接作业时也必须注意以下事项：
——在需要用手接触IGBT前，应先将人体上的静电放电后再进行操作，并尽量不要接触模块的驱动端子部分，必须接触时要保证此时人体上所带的静电已全部放掉；平面变压器厂家 | 平面电感厂家
放大器的输出直接接地会短路？正在看书，讲解的电路如下图。
“隔离电阻R1的作用是： 防止VT1饱和导通时，将1级放大器的输出端对地短路而对前级放大器造成损坏。”
不太明白啊，为什么放大器的输出端直接接
PFC 交流本人做了一个反激PFC， 全电压输入时，输入电压升不上去， 升到130Vrms 变压器就开始响， 有没有大神帮忙推测下，都有哪些因素会造成？ 开环测试的，还没上闭环。
原理图和参
[稳压电源]求大神指点万用表测量结果与示波器测现在手上有一个灯具的开关电源，规格：220V/50Hz输入，12V输出。 用福禄克的万用表测量电压为12.07V，用RIGOL的100MHz示波器测量波形如下：幅值显示为Vmax=17.6V,Vmin=6.00V,Vpp=11.6V.我直接测量的电源输出端，我不知道这电压为何变化这么大，电压表测的是平均值，有这么稳定么？为何示波器这么乱。 这个电源是不是很差呢？灯具的开关电源，肯定