开关电源电磁干扰分析及抑制
开关电源的输入普遍采用桥式整流、电容滤波型整流电源。如图3所示,在没有PFC功能的输入级,由于整流二极管的非线性和滤波电容的储能作用,使得二极管的导通角变小,输入电流i成为一个时间很短、峰值很高的周期性尖峰电流。这种畸变的电流实质上除了包含基波分量以外还含有丰富的高次谐波分量。这些高次谐波分量注入电网,引起严重的谐波污染,对电网上其他的电器造成干扰。为了控制开关电源对电网的污染以及实现高功率因数,PFC电路是不可或缺的部分。
1.3 开关管及变压器产生的干扰
主开关管是开关电源的核心器件,同时也是干扰源。其工作频率直接与电磁干扰的强度相关。随着开关管的工作频率升高,开关管电压、电流的切换速度加快,其传导干扰和辐射干扰也随之增加。此外,主开关管上反并联的钳位二极管的大功率电感贴片电感器反向恢复特性不好,或者电压尖峰吸收电路的参数选择不当也会造成电磁干扰。
开关电源工作过程中,由初级滤波大电容、高频变压器初级线圈和开关管构成了一个高频电流环路。台庆电感该环路会产生较大的辐射噪声。开关回路中开关管的负载是高频变压器初级线圈,它是一个感性的负载,所以,开关管通断时在高频变压器的初级两端会出现尖峰噪声。轻者造成干扰,重者击穿开关管。主变压器绕组之间的分布电容和漏感也是引起电磁干扰的重要因素。
1.4 输出整流二极管产生的干扰
理想的二极管在承受反向电压时截止,不会有反向电流通过。而实际二极管正向导通时,PN结内的电荷被积累,当二极管承受反向电压时,PN结内积累的电荷将释放并形成一个反向恢复电流,它恢复到零点的时间与结电容等因素有关。反向恢复电流在变压器漏感和其他分布参数的影响下将产生较强烈的高频衰减振荡。因此,输出整流二极管的反向恢复噪声也成为开关电源中一个主要的干扰源。可以通过在二极管两端并联RC缓冲器,以抑制其反向恢复噪声。
开关电源的分布参数是多数干扰的内在因素,开关电源和散热器之间的分布电容、变压器初次级之间的分布电容、原副边的漏感都是噪声源。共模干扰就是通过变压器初、次级之间的分布电容以及开关电源与散热器之间的分布电容传输的。其中变压器绕组的分布电容与高频变压器绕组结构、制造工艺有关。可以通过改进绕制工艺和结构、增加绕组之间的绝缘、采用法拉第屏蔽等方法来减小绕组间的分布电容。而开关电源与散热器之间的分布电容与开关管的结构以及开关管的安装方式有关。采用带有屏蔽的绝缘衬垫可以减小开关管与散热器之间的分布电容。
如图4所示,在高频工作下的元件都有高频寄生特性[2],对其工作状态产生影响。高频工作时导线变模压电感器成了发射线、电容变成了电感、电感变成了电容、电阻变成了共振电路。观察图4中的频率特性曲线可以发现,当频率过高时各元件的频率特性产生了相当大的变化。为了保证开关电源在高频工作时的稳定性,设计开关电源时要充分考虑元件在高频工作时的特性,选择使用高频特性比较好的元件。另外,在高频时,导线寄生电感的感抗显著增加,由于电感的不可控性,最终使其变成一根发射线。也就成为了开关电源中的辐射干扰源。
2 开关电源EMI抑制措施
电磁兼容的三要素是干扰源、耦合通路和敏感体,抑制以上任何一项都可以减少电磁干扰问题。开关电源工作在高电压大电流的高频开关状态时,其引起的电磁兼容性问题是比较复杂的。但是,仍符合基本的电磁干扰模型,可以从三要素入手寻求抑制电磁干扰的方法。
平面变压器厂家 | 平面电感厂家
VI晶片基本功能 我在这里准备测试示范一下PRM及VTM组合起来的分比功率操作情况。我会用这些评估板来测试.这两片板可以接合起来, 构成一个完整的DC-DC转换器功能. 另一方面, 又可视VTM为一个负载点器件, 就
LDO线性调节器电路在StrataFlash嵌入式存储器中德州仪器(TI)推出的TPS79918低压差(LDO)线性调节器为新的Intel StrataFlash嵌入式存储器(P30) 提供了所需性能。英特尔公司正从它的第三代180nm StrataFlas
DC/DC变换器并联均流技术(二)2.1.4 外加控制器法每一个模块电源控制部分都是由1 个均流控制器完成,通过检测每个单元的输出电流产生反馈信号来调节每个模块的电流,从而达到各单元平均分配输出电流的目的。这种控制方法均流效果好,但每