利用LM3478设计50W DC-DC升降压变换器
现代电子技术发展很快，半导体供应商不断推出新器件，从而推动电子应用工程师的不断创新设计，以满足市场的日益需求。本文介绍的即是基于客户的需求，应用美国国家半导体公司的新型电流型PWM芯片LM3478及基于SEPIC升降压原理实现的50WDC-DC适配器。该适配器的主要特点是：直流输入电压范围极宽；输出功率大；保护功能全；输出纹波小；效率高；工作稳定可靠；应用范围广。
SEPIC型变换器
SEPIC的电气原理简图如图1所示。
通常称之为升降压变换器SEPIC的简单原理如下：当SW开通时，加在L1，L2上的电压均为Vin，此时Cp并在L2上，且有Cp上的电压与L2上的相等。当SW关断时，L1中的电流继续沿着Cp、D1流向Cout输出到负载，同时L2的电流也流向D1、Cout输出到负载。在此期间，通过L1、L2的电压均等于输出电压Vout。由SEPIC的原理可推出基本关系式：Vout/Vin＝D/(1-D)。式中D为占空比，且忽略SW及L1等的压降。
LM贴片电感器3478
LM3478芯片的主要特点：
·宽输入电压:2.79—40VDC
·高工作频率:100KHz—1MHz
·微型封装:MSOP-8
·驱动电流:1A
·内部限制:OCP,OVP,LVP,OTP
·工作温度:-40℃—+125℃
50WDC-DC变换器设计
该变换器的主要技术要求：
直流输入电压范围：9-60VDC
输入电流：＜6A(9VDC)
直流输出电压：12VDC±差模电感;%
直流输出电流：3.5A
输出纹波电压：＜100mVRMS
额定功率：42W
峰值功率：50W
电源效率：典型值85%；满负载
保护型式：电流限制功率保护
输出过流保护：＜4.2A
输出过压保护：由LM3478控制
工作温度范围:-20℃—＋70℃
安规及EMC符合国际标准
高可靠性MTBF＞100,000小时
外型及尺寸：塑壳式；102×46×25(mm)
50WDC-DC变换器的电气原理图如图2所示。
该电路是基于SEPIC拓扑、应用LM3478芯片按照客户的技术要求设计的。在该电路中，考虑到适配器的体积及储能电感磁性材料的体积，选定工作频率Fs＝250KHz。
计算储能电感L3、L4的电感量及磁芯选择
首先由公式：D＝Vout/(Vout+Vin)计算占空比。由于最严酷条件下的电感纹波电流是在最大输入电压下，所以D＝12/(12+60)≈0.167。
计算储能电感l3、L4：正常情况下，L4的大小在确保最小负载电流下使电感电流连续，且输出纹波满足指标要求。为此，我们假定在20%最小负载电流下，允许有40%的峰-峰值纹波电流流过L4。
C1、C2为输入滤波，Q1、DZ1、DZ2、D1-1构成启动电源，L3、L4为储能电感，Q2为贴片电感功率MOSFET，IC为PWM驱动芯片，R5为频率调整电阻，C3、C4、R2为反色环电感馈补偿，R3、R4为反馈分压电阻，R7为过电流取样电阻，C8、C9为SEPIC电容，R8、R9、C6、C7为吸收网络，D2为输出整流二极管，C10、C11、C12为输出滤波电容。当然要想符合EMC要求，输入端还应该有共模电感，差模电感，及X、Y等安规电容。
L＝V×dt/di；
其中dt＝1/Fs×D＝1/(250×103)×0.167≈0.668，V为Vin在MOSFET开通时的值。因此，有如下计算：
L4＝60×(0.668×插件电感;10-6/0.4)＝100.2μH。取100μH的标称值。由该SEPIC原理及设计经验可知，作为俩个分离的储能电感，L3的取值也为：100μH。
由于该电感为储能电感，因此，对磁性材料的选取要特别注意。此处选择的材料为：Magnetic公司的KoolMu，相同性能的材料，其他公司又称铁硅铝。参数如下：
·料号：77381-A7，黑色
·尺寸：17.27×9.65×6.35(mm)，为环型磁芯
·电感因数AL：43(nH/N2)，N为圈数
由公式：L＝AL×N2，可以计算出电感圈数为：
48圈，且用AWG18号线绕制。L3、L4相同参数。
·Magnetic公司的KoolMu材料，损耗少，相对成本低，也可以选同规格其他厂商铁硅铝材料。如果想进一步降低成本也可以选用国产的铁硅铝材料。
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有这种继电器吗？找一款这样的继电器，线包驱动电压为12VDC，但是触点耐压要达到48V，过电流达10A，也就是在满载情况下（48V电池组对5欧姆电阻负载）能正常闭合和断开，继电器触点不会拉弧冒火，请问哪里有
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