高频特性得到改善的功率MOSFET放大器

电路的功能

用于大功率的MOSFET功率放大器，其转换速度比单级晶体管快，适合在高频条件下工作。本电路使用了决定转换速度的激励器，而且还在输出级采用了MOSFET，使高频特性得以改善。输出功率取决于电源电压和负载。本电路能连续输出100~150W并能承受负载短路。

电路工作原理

基本电路组成与限流保护电路的100W功率放大器相同，第二差动级是输出用的功率MOSFET，2SJ77，电流密勒电路使用了2SK214。虽然工作电流只有6MA，但是，因为电源电压高达正负50V，晶体管会发热，于是安装了小型散热片。

输出级采用直接驱动方式，由于不经射极输出器缓冲，驱动电路的负载就加重了，如果转换速度需要提高，可以TT5-6的允许损耗范围内尽量加大漏级偏置电流。

功率MOSFET经常产生高频振荡，要抑制振荡比较困难，简单的措施是在栅极串联电阻★标志的RO，但这要牺牲一些高频特性，RO的阻值随所用元件而异，通常在50~5模压电感00欧之间。

与单极晶体管相比，输出电路的电压损耗很大，电源电压应有所提高。出于输出电路的损耗电压取决于功率MOSFET的通态电阻，在大电流条件下工作，这个问题是不可忽视的，所以采用了多管并联的方式加以解决。

元件的选用

因为FET的VOB~功率电感器ID特性一致性较差，所以TT5和T绕行电感器T6、TT7和TT8、TT12和TT13、TT14和TT15应尽量选用传输特性不同的产品，偶数高效谐波就会增多。

电路中即使没有源极电阻R2A~R31也能工作，但是该电路如用作电流检测并使用色码绕线电阻，其电感成分不容忽略，这时不宜在高频条件下工作。

调整

第一差动的工作电流可用输入级的置偏电流来调整，若降低R7，电流就会增大，转换速度也可加快，如果R1级等于R11，失调电压就会减小，要完全调零，必须在TT1.2的射极电路中加可变电阻。

输出级的偏流由VR1共模电感调整，每个输出晶体管的漏极电流平均为100MA左右。

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