最大限度地减小汽车 DDR 电源中的待机电流
当您打开一部笔记本电脑或者智能手机时，会料到其启动需要等待一点时间，但是当您启动车辆时，就不太会有那么大的耐心了。对于汽车，消费者的期望是能够立刻使用计算机电子设备 (包括导航和信息娱乐系统)，汽车制造商则运用可缩短启动时间的设计策略来努力满足消费者的这一愿望。其中的一种策略是始终把动态存储器 (RAM) 保持在运行模式，即使在点火关断状态下也不例外。
汽车中使用的 DDR3 存储器采用一个 1.5V 电源轨运作，具有 2A 以上的峰值负载电流 (为尽量减少热耗散，最好利用一个高效率 DC/DC 转换器)。在这些应用中，当汽车不处于运行状态时，轻负载效率对于维持电池寿命同样是重要的。在待机时，DDR 存储器可从 1.5V 电源轨消耗 1mA~10mA 的电流，但是，当绕行电感器汽车长时间停驶时从电池吸收 10mA 电流是不能接受的。
在输入和输出电流相等的场合中，该限制电感器生产厂家条件排除了使用线性稳压器的可能。另一方面，开关降压型稳压器吸收的输入电流小于负载电流 (与降压比成比例)：
式中的 η 为效率因数 (0 至 1)。
如图 1 所示，LT8610AB 同步降压型稳压器在 1mA 负载条件下实现了大约 83% 的效率。当电池电压为 12V 且负载电流为 1mA (在1.5V) 时，输入电流的计算值仅为 151μA。
图 1：L共模电感器T8610AB 效率与负载的关系
从汽车电池至 1.5V DDR 存储器的直接 DC/DC 转换
LT8610A 和 LT8610AB 是单片式、同步降压型平面电感器稳压器，专为汽车系统而特别设计。它们可提供 3.5A 电流，而静态电流消耗则仅为 2.5μA。围绕这两款器件来设计电路十分容易。无需额外的半导体元器件，它们可以使用廉价的陶瓷电容器，而且所采用的 MSOP 封装具有易于焊接和检查的引脚。由于其典型最小导通时间为 30ns (保证最大值为 45ns)，因此可设计具有大降压比的紧凑、高开关频率降压型稳压器。图 2 示出了一种可在 1.5V 电压下提供 3.5A 电流的应用电路。工作频率为 475kHz，以优化效率并保持低于 AM 无线电频段。
这两款器件均拥有针对汽车环境的卓越容错性能。42V 的最大输入可应对负载突降。坚固的开关设计和高速电流比较器可在输出短路期间对器件提供保护。最小输入为 3.4V (最坏情况值)，最大占空比高于 99%，压差电压在 1A 电流下的典型值为 200mV，所有这些使得输出在整个冷车发动期间均处于调节状态。典型的最小输入电压曲线绘制于图 3。
图 2：该 LT8610A 或 LT8610AB 降压工字电感转换器电路可接受汽车电池，并产生 1.5V/3.5A 输出。低静态电流和同步整流在整个负载范围内实现了高效率。
图 3：在冷车发动或汽车启-停过程中将存储器保持于运行状态。在 25ºC 时，LT8610A 和 LT8610AB 可在低至 2.9V的典型最小输入电压 (整个温度范围内的保证最大值为 3.4V) 条件下运作。
利用低纹波突发模式操作和极小的静态电流来节省电池电量
LT8610A 和 LT8610AB 专为最大限度地降低整个负载范围内的输出电压纹波设计。在轻负载时，它们通过降低其工作频率和进入突发模式 (Burst Mode®) 操作来保持效率。即使在非常低的负载条件下亦能维持快速瞬态响应。此项特性与 2.5μA 的非常低静态电流相组合，这意味着：即便在负载仅为几个 μA 的情况下，LT8610A 和 LT8610AB 的效率也要高于静态电流为零的线性稳压器。对于那些必须避免低频运作的系统，可以通过给 SYNC 引脚施加一个逻辑高电平信号或时钟信号来关断突发模式操作。
LT8610A 和 LT8610AB之间的差异是，后者在轻负载时具有较高的效率。对于给定的负载，这是通过采用一个增加的突发模式电流限值 (因而允许在每个开关周期中输送更多的能量) 和降低开关频率实现的。由于接通和关断 MOSFET 需要固定的能量值，因此降低开关频率可减少栅极电荷损失并提高效率。平面变压器厂家 | 平面电感厂家
光耦的供电电阻怎么计算？我初级控制IC用的是OB2269，网上查的资料是用OB2269的FB短路电流除以光耦电流传输比算出光耦IF电流，然后再算供电电阻，是这样算吗？查资料得知OB2269的FB短路电流是0.8ma, 假如
FPGA牛人的经验分享这里我谈谈我的一些经验和大家分享，希望能对IC设计的新手有一定的帮助，能使得他们能少走一些弯路!在IC工业中有许多不同的领域，IC设计者的特征也会有些不同。在A领域的一个好的IC设计者也许会花很长时间
新型部分耗尽SOI器件体接触结构0 引言 SOI技术带来器件和电路性能提高的同时也不可避免地带来了不利的影响，其中最大的问题在于部分耗尽SOI器件的浮体效应。当器件顶层Si膜的厚度大于最大耗尽层的宽度时，由于结构中氧化埋层的隔离作用