如何将CMOS LDO应用于便携式产品中
随着便携式产品越来越多，产品的功能，性能的提升，它们对电源管理的要求也更高了，这里跟大家探讨的是CMOS LDO在便携式产品中的应用。便携式产品在大多数情况下是靠电池供电，内部(即电池后端)的电源管理有DC/DC和LDO两种实现方式，各有优缺点。正常工作时，DC/DC模块能提供给系统稳定的电压，并且保持自身转换的高效率，低发热。但在一些应用条件下，比如工作在轻载状况下或是给RF供电时，DC/DC的静态电流及开关噪声就显得比较大了， CMOS LDO正好可以满足在这些应用条件下的供电要求，CMOS LDO有着极低的静态电流，极低的噪声，较高的PSRR（电源纹波抑制比），以及较低的Dropout Voltage（输入输出电压差）。
CMOS LDO产品的特点
1.C一体成型电感器MOS LDO的自身功耗：
CMOS LDO在正常工作时，存在自身的功耗，可以大概表示为：
Pd=(Vin-Vout)×Iout+Vin×Iq，
由这个式子可以看出，重载以及大输入输出电压差都会增大Pd，从而降低LDO的转换效率。然而当Iout=0时，Iq决定LDO的功耗，而C扁平型电感MOS LDO的Iq仅有1uA~80uA，使得LDO自身几乎没有功耗。
如在TCXO(温度补偿晶振)电源中，其只需要5mA的负载电流，Vout固定，若能控制Vin的值仅稍大于Vout+Vdrop，(一般地，CMOS LDO的Vdrop在Iout=5mA条件下，其值为5mV~10mV)，则LDO的自身功耗Pd在不到1mW，这取决于方案设计工程师在应用电路中的设计。
一体成型电感器现在更多的工程师，将DC/DC与LDO共同设计进电源管理方案中，因为他们发现，开关型转换器存在一定的噪声干扰和高静态电流等问题，这种情况在处理器供电应用中尤为突出。开发商为了让处理器在不执行指令时保持极低的电能消耗，往往把产品设置为“深度睡眠模式”和“唤醒工作模式”两种状态。
而如果在“深度睡眠模式”下仍然采用开关型转换器，其噪声和静态电流性能反而不如LDO优越。基于这种情况，已经有厂商针对处理器（例如基带处理器）供电应用推出了LDO与开关型转换器双模系统。当处理器处风华高科系列电感器于“唤醒工作模式”时，系统通过芯片内部开关切换成PWM模式，LDO输出为高阻态，为处理器提供较高的电压和较大的电流；而当处理器处于“深度睡眠模式”时，系统通过芯片内部开关切换成LDO模式，SW输出为高阻态，为处理器提供较低电压和微小电流。
2.CMOS LDO的稳定性：
典型LDO应用需要增加外部输入和输出电容器。LDO稳定性与输出电容的ESR密切相关，选择稳定区域比较大的LDO有利于系统的设计，并可以降低系统板的尺寸与成本。利用较低ESR的电容一般可以全面提高电源纹波抑制比、噪声以及瞬态性能。
陶瓷电容器由于其价格低而且故障模式是断路，通常成为首选；相比之下钽电容器比较昂贵且其故障模式是短路。请注意，输出电容器的ESR 会影响其稳定性，陶瓷电容器具有较低的ESR，大概为10mΩ量级，而钽电容器ESR在100 mΩ量级。
另外，许多钽电容器的ESR随温度变化很大，会对LDO性能产生不利影响。BCD的CMOS LDO产品采用ESR范围在10mΩ~100Ω的输出电容就可以满足全负载范围内的稳定性。
3.电路简单及价格低：
LDO的应用电路都比较简单，除了LDO自身以外，只需要2颗电容，个别产品还需要一颗bypass电容。总共只需要3~4颗原件。如此简单的电路在成本也就相应很低了。
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共模电感器
4.电路所需PCB面积小：
CMOS LDO的Cin和Cout大多小于等于2.2uF，这样的容值，0603封装就可以做到了，LDO的封装一般只是SOT-23或SC-70,整个电路在PCB上的面积只有20mm2~30mm2，极大的节省了电路板的空间。
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