如何将CMOS LDO应用于便携式产品中
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四、BCD的CMOS LDO产品简介
1.AP2121/AP2122
这是采用BCD的低噪声低功耗CMOS工艺设计生产的低压差、低噪声、高电源纹波抑制比的LDO产品，其特点是最大输出电流能力的最小值为150mA，300mA限流；静态工作电源电流为25uA；在输色环电感器出电流150mA时的输入输出压差小于200mV；电源纹波抑制比为70d电感生产B@1KHz；不需要外接Bypass电容，其输出噪声就小于50uVrm插件电感s。在这个产品中采用了BCD的专利《用于提高低频电源抑制比的电路及包含该电路的电路装置》（中国专利：2004201166551.9.）。这个产品非常适合在手持式电子产品的BASE BAND上面的应用。
2、AP2138/AP2139
这是另外一类采用BCD的低噪声，低功耗CMOS工艺设计生产的低压差、低噪声、LDO产品，其特点是最大输出电流能力的最小值为200mA，300mA限流；静态工作电源电流为1uA；在输出电流100mA时的输入输出压差小于200mV；电源纹波抑制比为55dB@100Hz；不许外接Bypass电容，其输出噪声小于80uVrms。无论是直流性能还是瞬态响应等多方面，AP2138/9都要比市面上的同类产品更胜一筹，非常适合用于MP3和手持式电子产品的RTC上面的应用。
3、AP2115/AP2117
这是一款采用上面提到的方案一设计生产的低压差、低噪声、高电源纹波抑制比的LDO产品，其特点是最大输出电流能力的最小值为300mA，500mA限流；静态工作电源电流为80uA扁平型电感；在输出电流300mA时的输入输出压差仅为300mV；电源纹波抑制比为70dB@1KHz；不外接Bypass电容，其输出噪声为180uVrms，当外接10nF的Bypass电容后输出噪声就小于30uVrms。值得一提的是，该类产品具有与使能端联动的快速放电功能，有效地延插件电感长了电池的使用寿命，适用于RF、Audio Power Supply等。
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