典型工艺介绍
电感生产离子注入技术主要有以下几方面的特点。
电感生产(1)注入的离子是通过质量分析器选取出来的，选取的离子纯度高，能量单一，从而保证了掺杂纯度不受杂质源纯度的影响。
(2)注入剂量在1011～10l-离子/cm2的较宽范围内，同一平面内的杂质均匀度可保证在±1%的精度，比扩散好得多，离子注入技术的这一优点在超大规模集成电路制造中尤其重要。
(3)离子注入时，衬底一般是保持在室温或低于400℃。因此，像二氧化硅、氮化硅、铝和光刻胶等都可以用来作为选择掺杂的掩蔽膜。
(功率电感器4)离子注入深度是随离子能量的增加而增加。因此，可以通过控制注入离子的能量和剂量，以及采用多次注入相同或不同杂质，得到各种形式的杂质分布。
(5)离子注入时的衬底温度较低，这样就可以共模电感参数避免高温扩散所引起的热缺陷。另外，由于注入的直进性，注入杂质是按掩模的图形近于垂直入射，这样的掺杂方法，横向效应比热扩散小得多。
(6)化合物半导体是两种或多种元素按一定组分构成的，它们不宜高温娃理，组分可能发生变化。采用离子注入技术，基本不存在上述同题，因此容易实现化合物半导体的掺杂。
在集成电路芯片生产制造过程中，还包括氧化、蒸发、溅射、化学汽相淀积、刻蚀、化学机械抛光等一系列基本工艺技术，它们都与光刻、扩散、离子注入相类似，具有高精度高难度的技术特点，相关的设备仪器，厂插件电感器房设施，配套材料都有很高的要求。
平面变压器厂家 | 平面电感厂家[充电器]LTC4054给电池充电时，芯片发热本帖最后由xw123789于2017-9-1708:05编辑
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