新闻动态
资质荣誉
联系我们
新型IGBT软开关在应用中的损耗
发布时间:2014-12-21 23:56:44 来源:大电流电感厂家 查看: 次
图7 :在硬开关条件下,175℃结温以及室温下RC2-IGBT的Eoff曲线
图6显示如果栅极电阻低于30(,下降时间再度上升。这对于实现良好的EMI行为非常重要。所有市场上相关应用设计目前使用的栅极电阻都在10~20Ω之间。这个栅极电阻选用区域也是最低开关损耗区(见图7)。它具有最低的开关损耗和合适的EMI表现。
图8 :室温和不同电流条件下IHW20N120R2的饱和压降与Vf的关系
图7和图8显示了最新一代RC2-IGBT(IHW20N120R2)的超低饱和压降Vce(sat)和正向电压Vf。图8显示了1,000片该器件在室温和不同电流条件下的最低和最高饱和压降的曲线图,图9显示了它们在不同温度和20A额定电流条件下的饱和压降曲线图。
图9 :20A标称电流和不同温度下IHW20N120R2的饱和压降与Vf的关系
电压谐振电路里的RC-IGBT
图10显示了用于软开关应用的典型电压谐振电路。
差模电感器
图10 :用于软开关应用的电压谐振电路图
对于190V~240V交流输入电压而言,RC-IGBT具有低饱和压降和正向电压:
1. 对于1.8kW的应用:IHW15N120R2(Vce=1,200V, Ic=15A@Tc=100℃);
2. 对于2.0kW的应用:IHW20N120R2(Vce=1,200V, Ic=20A@Tc=100℃);
3. 对于2.2kW的应用:IHW25N120R2(Vce=1,200V, Ic=25A@Tc=100℃);
4. 对于2.4kW的应用:IHW30N120R2(Vce=1,200V, Ic=30A@Tc=100℃)。
为了测量IGBT的集电极电流Ice,应在发射极和地之间使用超低阻值的取样电阻器。图11为Vce和Ic的波形(电感器铁芯搪瓷烧锅负载)。工作频率为29.1kHz,LC电路在谐振范围之外(电磁炉的温度模式为50℃)。
图11: 1.8kW电磁炉应用(IHW20N120R2)的电压谐振电路波形
本文小结
针对软开关应用进行优化的RC-IG塑封电感BT技术可大幅度降低饱和压差模电感器降造成的损耗。最大结温提升到175℃进一步增强了芯片的电流能力。关断开关损耗以及发射极关断电流几乎没有变化。 平面变压器厂家 | 平面电感厂家
[逆变器]单片机SPWM逆变电路问题求助如图,是别人做的一个逆变电路图,我现在有些疑问,(1)图中标示1的两个稳压二极管和电阻什么作用,具体选型时注意什么(2)图中标示2的地方我查找说是缓冲作用,这个的原理是什么,还有就是电阻电容怎么选,不要缓冲是否可以(3)图中标示3的地方是IR2130典型电路接法,同样是电阻和滑动变阻器阻值怎么选,这一块的过流检测怎么用(4)图中标示4的地方这个放
iPad2如何加速医疗设备诊断级产品便携化第四代八通道超声接收器凸显低功耗、小尺寸优势一站式配套与技术支持提供完美解决方案解决方案:ADI公司的模拟前端芯片ADAS1000解决方案ADI公司的超声接收器AD9271解决方案iPad2在全球苹果
[开关电源]LM5017输出问题请教各位大神好,附件为我使用Ti的一款开关电源芯片LM5017的原理图,输出按照12V,500mA设计,R46,R47未贴,两个问题: 1,LM5017的基准脚FB应为1.225V,但是测试发现该基准会随着Ron(R42)的值变化而变化,实测R42=500K时,FB=1.48V;R42=300K时,FB=1.41V;R42=100K时,FB=1.23V。 分压电阻不变时,输出电压值会因为FB电压变化而变化。 这是为什么,怎么解决?2,
上一条:LDO的基本原理 下一条:安森美半导体针对不同应用的先进LED驱动器方案