反激开关电源TL431反馈回路疑问,求解答
Rbias
接法一:Rbias和Rled都接在Vout上
接法二:Rbias和Rled串接在Vout上
这个电阻不重要,只是个直流偏置作用,调整工作点的。
谢谢你的解答!在书上也看到了对比,两种情况下计算出来的电阻值差不多,书上指出接法一更优(贴原图):
优点一:
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Rbias位置相当重要,上图(R3)的位置明显优于下图。 是调整431的工作点 如何确定R1和R3的电阻阻值? 自由设计时,不用R3,只有当设计受限时才需要考虑R3。
设计受限的情况是:
1、光耦原边驱动的是IC恒流源之类的负载(比如COMP),其参数限制了光耦LED的电流范围,无法与431工作电流匹配(需要R3来匹配)。
2、副边电压太低或太高
3、想尽量省电(高效率设计)
4、另类应用设计
下圖中的Rbias 一定得要嗎? 详情参考:817+431 彻底攻破 白光LED通信系统的噪声与干扰分析阐述了背景可见光在噪声受限与干扰受限的白光LED通信系统中的影响。利用带通滤波器和光学设计以及噪声匹配等方法提高了作为噪声受限系统的接收机性能;采取带阻滤波器、副载波调制、增设滤波电容等措施,很好地抑 熟悉34063的朋友帮忙 找下问题图1图2图1为34063 升压方案 具体参数如上, VCC 5V输入时, 78L05 输入 为18.9V 输出为 5V 目的是为图2 STM8S003F3P6 供电, 但实际情况是 8s003 VDD 为5V VCAP脚 电压为零, 正常应该在1.8V 左右。 图2 直接用 电源5V 供电,VCAP 为1.8V 单片机正常 高频电感损耗问题电感铁损公式如下:
F从300K提高到600K,频率提升,磁芯体积会变小。所以初步估计整个磁损可能变化不大。
问题是,磁芯减小后,磁芯热阻变大,所能耗散的功率也变小了,温度也会上升